特許
J-GLOBAL ID：201103015004639708
薄膜トランジスタ製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005995
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196592
特許番号：特許第4572436号
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エキシマレーザアニール装置によりアモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を生成するポリシリコン膜生成工程を有し、薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造方法において、
基板上にゲート電極を形成し、
上記ゲート電極を形成した基板上にアモルファスシリコン膜を成膜し、
複数基板上或いは1つの基板上の複数箇所の上記アモルファスシリコン膜に対して、レーザパワーを変化させてレーザアニール処理を行ってポリシリコン膜を形成し、
上記レーザパワーを変化させてレーザアニール処理を行った基板に対してゲート電極上に形成された上記ポリシリコン膜表面を撮像して、撮像した画像から、該ポリシリコン膜表面の空間構造の直線性及び周期性のうち、少なくとも一方の構造の特性に基づいて得られる自己相関関数を求めて、該自己相関関数の各ピーク成分から、サイドピーク値に対するピーク値の比を示すAC値を算出し、
上記レーザパワーを変化させてレーザアニール処理を行った基板に対してゲート電極上以外の場所に形成された上記ポリシリコン膜表面をそれぞれ撮像して、撮像した各画像から、該ポリシリコン膜表面の空間構造の直線性及び周期性のうち、少なくとも一方の構造の特性に基づいて得られる自己相関関数を求めて、該自己相関関数の各ピーク成分からAC値を算出し、
上記レーザパワーの変化に対して、上記ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜表面の空間構造の特性から算出した自己相関関数のAC値の変化に基づき、該ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜に与えられる許容最低エネルギーを求め、
上記ゲート電極上以外の場所に形成されたポリシリコン膜表面の特性から算出した自己相関関数のAC値が、上記レーザパワーの変化による該ポリシリコン膜に与えるエネルギの増加に伴って、比例的な減少が停止する最低値に基づき、該ゲート電極上以外の場所に形成されたポリシリコン膜に与えられる許容最高エネルギーを求め、
上記ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜に与えられる許容最低エネルギーに対応するレーザパワーと、上記ゲート電極上以外の場所に形成されたポリシリコン膜に与えられる許容最高エネルギーに対応するレーザパワーとの平均値を、上記エキシマレーザアニール装置のレーザパワーに設定する薄膜トランジスタ製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/268 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 21/268 T
, H01L 29/78 624
