特許

J-GLOBAL ID：201103015329138144

トレンチゲート電界効果トランジスタ及びその製法

発明者： グローヴァー レイモンド ジェイ ,  ピーク スティーヴン ティー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (7件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  津軽 進 ,  宮崎 昭彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-543705
特許番号：特許第4087248号
出願日： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基体を有するトレンチゲート電界効果トランジスタであって、前記半導体基体においては絶縁されたトレンチが該基体の表面から当該トランジスタのドレイン領域へ延在し、第1導電型の半導体材料を有するゲート電極が前記トレンチの上部に存在して当該トランジスタの絶縁されたゲートを形成し、前記トレンチの下部には下側電極が存在すると共に、該下側電極は当該トランジスタのソースに接続されて前記絶縁されたゲートを前記ドレイン領域の大部分から遮蔽するようなトランジスタにおいて、 前記下側電極は、前記ゲート電極の半導体材料と隣接して該ゲート電極と当該下側電極との間にpn接合を形成するような第1導電型と反対の第2導電型の半導体材料を有し、該pn接合が前記ゲート電極と当該トランジスタのソースとの間にpn保護ダイオードを設けることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 657 B ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 改良された高周波スイッチング特性と降伏特性を備えたパワー半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-578852   出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
• MOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-310046   出願人：松下電工株式会社
• 特開昭63-296282