特許

J-GLOBAL ID：201103015495572790

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 井口 学 ,  相澤 宏一
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (3件)： 速水 進治 ,  野本 可奈 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-151129
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009439
出願日： 2009年06月25日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】配線抵抗の増加を抑えつつ、配線のエレクトロマイグレーション寿命、およびストレスマイグレーション寿命を向上させる。【解決手段】半導体装置100は、基板102上に形成された層間絶縁膜104に形成された凹部に、高融点金属を含むバリアメタル膜106と、配線金属膜114を構成する銅および銅とは異なる不純物金属を含むシード合金膜ならびに銅を主成分として含むめっき金属膜とを形成し、シード合金膜およびめっき金属膜を、200°C以上、10分以下で熱処理する第1の熱処理工程と、第1の熱処理工程の後、凹部外部に露出しためっき金属膜、シード合金膜、およびバリアメタル膜106を除去する工程と、シード合金膜およびめっき金属膜を熱処理する第2の熱処理工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜に形成された凹部に、高融点金属を含むバリアメタル膜を形成する工程と、 前記バリアメタル膜上に、前記凹部の一部を埋め込むように、銅および銅とは異なる不純物金属を含むシード合金膜を形成する工程と、 前記シード合金膜上に前記凹部を埋め込むように銅を主成分として含むめっき金属膜を形成する工程と、 前記シード合金膜および前記めっき金属膜を、200°C以上、10分以下で熱処理する第1の熱処理工程と、 前記第1の熱処理工程の後、前記凹部外部に露出した前記めっき金属膜、前記シード合金膜、および前記バリアメタル膜を除去する工程と、 前記シード合金膜および前記めっき金属膜を熱処理する第2の熱処理工程と、 を含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (1件)：

H01L21/88 M

Fターム (27件)：

5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033LL02 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM29 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 導電性材料とその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-199284   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-239197   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-205553   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド