改良されたX線マスク構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本仁朗 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028822
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274075
特許番号：特許第3188879号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】所望のパターンをチップ上に露光するためにリソグラフィ・プロセスで使用するためのX線露光マスクにおいて、(A)互いに平行な上部リング表面及び下部リング表面を有するX線不透過基板であって、上記上部リング表面の内側に沿ったメサを有し、該メサの上面は、上記上部リング表面及び上記下部リング表面と平行にされている、上記X線不透過基板と、(B)上記メサの上面と同一面の上面を有し、上記メサにより支持されているX線透過膜と、(C)所望の露光フイールドに対応するX線透過マスク・フレーム領域を上記X線透過膜に画定するように、上記メサの上面及び上記X線透過膜上に設けられたX線ブロック/補剛層と、(D)上記X線透過膜上のうち上記X線透過マスク・フレーム領域内に所望のパターンで形成されたX線吸収材の層と、(E)上記X線不透過基板の上記下部リング表面に取り付けられ、上記X線不透過基板を支持するサポート・ベースとを有し、(a)上記X線透過膜のサイズは、最も大きい予想ターゲット・サイズに対応できる大きさを有し、上記X線ブロック/補剛層により画定される上記X線透過マスク・フレーム領域は上記予想ターゲット・サイズよりも小さく、(b)上記予想ターゲット・サイズに対応する大きさの上記X線透過膜、上記予想ターゲット・サイズよりも小さい上記X線透過マスク・フレーム領域を画定する上記X線ブロック/補剛層及び上記所望のパターンの上記X線吸収材の層が上記X線不透過基板に設けられた後に、上記サポート・ベースが上記X線不透過基板の上記下部リング表面に取り付けられ、(c)上記上部リング表面と上記メサの上面との間の高さは、上記X線透過膜の上面の最も低い点が上記上部リング表面より下になるほど上記X線透過膜がそらないように選択されていることを特徴とするX線露光マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 531 M , G03F 1/16 A

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-142022
特開平2-014511
特開平4-065816

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