特許
J-GLOBAL ID:201103015876744920
気相成長装置及び気相成長方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
, 平井 良憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-159720
公開番号(公開出願番号):特開2011-012331
出願日: 2009年07月06日
公開日(公表日): 2011年01月20日
要約:
【課題】 基板加熱ヒータの加熱領域の影響で、シャワープレートの温度が高い領域と低い領域が発生し、シャワープレートの外周部分の温度の低い領域(非加熱領域)においては、シャワープレート表面にフレーク状の安易に剥がれる生成物が形成され、被処理基板にコンタミネーションとして付着して、膜質や均一性の劣化が発生する。【解決手段】 シャワープレートの基板保持部材に対向する領域より外側で、かつ、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を配設し、シャワープレートの空間が配設された領域部分に反応室内と連通する複数の貫通孔を設け、貫通孔を通じてパージガスを導入する。 それにより、非加熱領域部のシャワープレート表面に存在する原料ガスをガス排出口側へ流し、さらに角部に淀み領域が発生しにくくすることができる。よって、シャワープレート表面に形成される生成物を減少し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
反応炉内に、複数のガス吐出孔を配設したシャワーヘッドと、
複数のプレート孔を配設したシャワープレートと、
被処理基板を載置する基板保持部材とを備え、
上記シャワープレートが上記シャワーヘッドのガス吐出面側を覆うように接して配置され、
上記ガス吐出孔および上記プレート孔を通して反応室内にガスを導入して上記被処理基板に成膜する気相成長装置において、
上記シャワープレートの上記基板保持部材に対向する領域より外側で、
かつ、上記シャワーヘッドと上記シャワープレートとの接面の間に空間が配設され、
上記シャワープレートの上記空間が配設された領域部分に上記反応室内と連通し、パージガスを上記反応室内に導入する複数の貫通孔を設けることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件):
C23C 16/455
, H01L 21/205
FI (2件):
Fターム (28件):
4K030AA08
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030KA25
, 4K030KA26
, 4K030LA12
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045BB02
, 5F045BB15
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045DQ10
, 5F045EC01
, 5F045EE14
, 5F045EF05
, 5F045EF08
, 5F045EF09
, 5F045EF14
, 5F045EF20
, 5F045EJ09
, 5F045EJ10
, 5F045EK07
引用特許:
前のページに戻る