特許

J-GLOBAL ID：201103015987713861

有機半導体装置及びその製造方法

発明者： 福田 加一
出願人/特許権者： 東芝モバイルディスプレイ株式会社
代理人 (18件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-063216
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198579
出願日： 2010年03月18日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】水分による劣化を抑制することが可能とする。【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機半導体素子と、前記有機半導体素子を被覆するとともにシリコン(Si)及び窒素(N)を主成分とする材料によって形成された第1保護層と、前記第1保護層の上方に配置されるとともに前記第1保護層よりも透湿度が高い材料によって形成された第2保護層と、前記第2保護層の上に積層されるとともにシリコン(Si)、酸素(O)、及び、窒素(N)を主成分とする材料によって形成された第3保護層と、前記第3保護層の上に積層されるとともに前記第3保護層よりも透湿度が高い材料によって形成された第4保護層と、前記第4保護層よりも上方であって且つ最外層をなしシリコン(Si)及び窒素(N)を主成分とする材料によって形成された第5保護層と、を有する保護膜と、を備えたことを特徴とする有機半導体装置。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、 前記絶縁基板の上方に配置された有機半導体素子と、 前記有機半導体素子を被覆するとともにシリコン(Si)及び窒素(N)を主成分とする材料によって形成された第1保護層と、前記第1保護層の上方に配置されるとともに前記第1保護層よりも透湿度が高い材料によって形成された第2保護層と、前記第2保護層の上に積層されるとともにシリコン(Si)、酸素(O)、及び、窒素(N)を主成分とする材料によって形成された第3保護層と、前記第3保護層の上に積層されるとともに前記第3保護層よりも透湿度が高い材料によって形成された第4保護層と、前記第4保護層よりも上方であって且つ最外層をなしシリコン(Si)及び窒素(N)を主成分とする材料によって形成された第5保護層と、を有する保護膜と、 を備えたことを特徴とする有機半導体装置。

IPC (6件)：

H05B 33/04 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10

FI (7件)：

H05B33/04 ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 500 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10

Fターム (21件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB04 ,  3K107CC23 ,  3K107EE46 ,  3K107EE48 ,  3K107EE50 ,  3K107GG03 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110GG05 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 有機エレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-315836   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 有機EL素子の封止膜、有機EL表示パネルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-349658   出願人：株式会社セルバック