特許

J-GLOBAL ID：201103016292379193

電界電子放出型サージ吸収素子及びその製造方法

発明者： 河西 良人 ,  丸山 光晴 ,  三沢 雅芳 ,  米久保 荘
出願人/特許権者： 岡谷電機産業株式会社 ,  長野県
代理人 (1件)： 奥田 弘之 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289470
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119855
特許番号：特許第3312015号
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体よりなる第1の基板部材と第2の基板部材とを対向配置し、両基板部材の対向面周縁を気密封止して外囲器を形成し、該外囲器内を高真空状態となすと共に、上記第1の基板部材の対向面及び第2の基板部材の対向面の少なくとも一方に多数のエミッタ・コーンを形成し、当該エミッタ・コーンと他方の基板部材の内面あるいはエミッタ・コーンとの間に所定の間隙を形成し、さらに両基板部材の外面にそれぞれ外部電極を形成してなる電界電子放出型サージ吸収素子において、上記エミッタ・コーンが、尖鋭な先端部と、上記基板部材の内面から80度以上90度以下の角度で立設する立上り部とを有しており、また、 エミッタ・コーンの底面の直径に対する、エミッタ・コーン間のピッチ(隣接するエミッタ・コーン相互の底面中心間の距離)の比を2以上3以下となしたことを特徴とする電界電子放出型サージ吸収素子。

IPC (3件)：

H02H 9/04 ,  H01J 9/02 ,  H01T 4/12

FI (3件)：

H02H 9/04 Z ,  H01J 9/02 B ,  H01T 4/12 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-249096   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-062482
  
• 電界放出型電子源及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-203874   出願人：松下電器産業株式会社
• サージ吸収素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-132728   出願人：岡谷電機産業株式会社