特許
J-GLOBAL ID：201103016373427214

圧電デバイスおよびこれを用いた集積化分波器、集積化フィルタ

発明者：
岩下 和樹

岩下 和樹 について

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土屋 博史

土屋 博史 について

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田中 謙介

田中 謙介 について


出願人/特許権者：
宇部興産株式会社

宇部興産株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-075075
公開番号（公開出願番号）：特開2011-211347
出願日： 2010年03月29日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：
【課題】低背化が可能であり、非常に小型で、且つ、気密封止が可能な圧電デバイスを提供する。【解決手段】第1の半導体基板と、第1の半導体基板上に形成される下部電極と、第1の半導体基板と下部電極との間に形成される空隙部または音響反射層と、下部電極上に形成される圧電薄膜と、圧電薄膜上に形成される上部電極とを有する薄膜圧電共振器が、梯子型または格子型に接続されてなる薄膜圧電フィルタを含む第1の基板と、第2の半導体基板上に電気要素が形成されている第2の基板とが接合され、接合部分は気密封止されている圧電デバイス。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板と、前記第1の半導体基板上に形成される下部電極と、前記第1の半導体基板と前記下部電極との間に形成される第1の空隙部または音響反射層と、前記下部電極上に形成される圧電薄膜と、前記圧電薄膜上に形成される上部電極と、を有する薄膜圧電共振器が梯子型または格子型に接続されてなる薄膜圧電フィルタを含む第1の基板と、 第2の半導体基板上に電気要素が形成される第2の基板と、 からなる圧電デバイスであって、 前記第1の基板のうち上部電極等が形成された側の面と、前記第2の基板のうち電気要素が形成されていない側の面とが対向し、 対向面どおしの少なくとも一部が接合手段によって接合され、 前記上部電極と前記圧電薄膜と前記下部電極とが厚み方向に見て互いに重なる領域の上部電極上には第2の空隙部または音響反射層が形成され、 前記接合手段と前記対向面が形成する接合領域は気密封止されていることを特徴とする圧電デバイス。
IPC (9件)：
H03H 9/70 ,  H03H 9/54 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/08
FI (14件)：
H03H9/70 ,  H03H9/54 Z ,  H03H9/17 F ,  H03H9/02 K ,  H03H9/02 J ,  H03H9/02 A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 K ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 D ,  H01L41/08 J
Fターム (21件)：
5J108AA07 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC04 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108EE13 ,  5J108FF13 ,  5J108GG03 ,  5J108GG05 ,  5J108GG07 ,  5J108GG14 ,  5J108JJ01 ,  5J108JJ02 ,  5J108JJ04 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02 ,  5J108KK03 ,  5J108KK04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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