特許
J-GLOBAL ID:201103017214814017

降圧回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金田 暢之 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-334427
公開番号(公開出願番号):特開2001-156256
特許番号:特許第3423957号
出願日: 1999年11月25日
公開日(公表日): 2001年06月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】 外部から供給される外部電源電圧を降圧し、内部電源電圧として内部回路に供給する、半導体集積回路装置が備えた降圧回路であって、前記外部電源電圧から所望の電圧だけ降圧し、前記内部電源電圧として出力するダイオード回路と、前記外部電源電圧が低下したときに、前記ダイオード回路から出力される前記内部電源電圧をプルダウンするためのプルダウン用トランジスタと、前記プルダウン用トランジスタの動作を制御するための制御回路と、を有する降圧回路。
IPC (5件):
H01L 21/822 ,  G05F 3/26 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  H01L 27/04
FI (4件):
G05F 3/26 ,  H01L 27/04 B ,  G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 354 F
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-202717   出願人:株式会社日立製作所
  • 半導体メモリ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-265797   出願人:日本電気株式会社
  • 集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-016229   出願人:株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社, 日立エンジニアリング株式会社
審査官引用 (3件)
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-202717   出願人:株式会社日立製作所
  • 半導体メモリ装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-265797   出願人:日本電気株式会社
  • 集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-016229   出願人:株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社, 日立エンジニアリング株式会社

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