半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061734
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260810
特許番号：特許第3708739号
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に形成された二酸化シリコン膜と、この二酸化シリコン膜上に成膜されたTi/TiN系のバリアメタル膜と、このバリアメタル膜上に設けられた電極配線とを備えてなる半導体装置において、前記二酸化シリコン膜が、それぞれプラズマCVDで成膜され、ふっ素を残存させた第1の二酸化シリコン膜と第2の二酸化シリコン膜とでなると共に、バリアメタル膜側の前記第2の二酸化シリコン膜が、材料ガスにSiH4ガスを用いて成膜されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：