特許
J-GLOBAL ID：201103017560643601

半導体装置

発明者：
坂口 定則

坂口 定則 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272268
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093991
特許番号：特許第4308990号
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の主表面上にアクセストランジスタおよびドライバトランジスタを有するスタティックランダムアクセスメモリを備えた半導体装置であって、 前記半導体基板の主表面上で交差するように規定された第1の軸および第2の軸と、 前記第1の軸上に形成された前記アクセストランジスタのゲート電極と、 前記第2の軸上に形成された前記ドライバトランジスタのゲート電極と、 前記第1の軸と前記第2の軸との交差点で、前記第1の軸および前記第2の軸に沿って形成された前記アクセストランジスタと前記ドライバトランジスタとが共用するソース/ドレイン領域と、 前記アクセストランジスタのゲート電極の表面を覆う第1絶縁膜と、 前記ドライバトランジスタのゲート電極の表面を覆う第2絶縁膜と、 前記半導体基板の前記主表面、前記第1絶縁膜の表面および前記第2絶縁膜の表面を覆うように形成された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜を貫通して前記ソース/ドレイン領域に至り、前記第1および第2絶縁膜に対して自己整合的に形成され、かつ、前記第1の軸と前記第2の軸との交差点で前記第1の軸の方向から前記第2の軸の方向へ曲がっているコンタクトホールと、 前記コンタクトホールに形成された導電性のコンタクトプラグとを備えた、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/10 381 ,  H01L 21/28 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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