ゲート酸化膜中の窒素濃度判定方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：野河信太郎 , 小池隆彌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121090
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311928
特許番号：特許第3640568号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に形成された熱酸化膜を窒化性雰囲気中で加熱炉を用いて窒化酸化膜を形成した後、酸化性雰囲気中で加熱炉を用いて再酸化処理を行う半導体装置製造工程において、前記再酸化処理後における熱酸化膜中の窒素濃度を、前記再酸化処理における再酸化膜厚レートから判定することを特徴とするゲート酸化膜中の窒素濃度判定方法。

IPC (2件)：