特許
J-GLOBAL ID：201103018057242400
荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-097239
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228498
出願日： 2010年04月20日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【目的】SF数の増大に伴う描画時間の増大を抑制することが可能な装置および方法を提供することを目的とする。【構成】描画装置100は、試料を載置するXYステージ105と、描画領域を分割した各副主偏向領域へのビームの偏向位置がXYステージ105の移動に追従するように一部の偏向器でトラッキングすると共に、各副主偏向領域がトラッキングされながら副主偏向領域よりもサイズが小さい各SF内を偏向可能領域とする他の偏向器で該当するSF内に複数のショットのビームを偏向する多段偏向器208,209と、副主偏向領域へとビームを偏向させる主偏向量データと副主偏向領域をトラッキングするためのトラッキングデータとSF間でビームの偏向位置を移動させるための副主偏向データと各SF内でビームの偏向位置を移動させるための副偏向データとを用いて、多段偏向器へと必要な偏向電圧を出力する複数の偏向アンプと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
試料を載置する、移動可能なステージと、
前記試料の描画領域を仮想分割した複数の第1の小領域の各第1の小領域への荷電粒子ビームの偏向位置が前記ステージの移動に追従するように各第1の小領域を一部の偏向器でトラッキングすると共に、各第1の小領域がトラッキングされながら前記第1の小領域よりもサイズが小さい複数の第2の小領域の各第2の小領域内を偏向可能領域とする他の偏向器で該当する第2の小領域内に複数のショットの荷電粒子ビームを偏向する多段偏向器と、
前記第1の小領域へと荷電粒子ビームを偏向させる第1の偏向量データと前記第1の小領域をトラッキングするための第2の偏向量データと前記複数の第2の小領域間で前記荷電粒子ビームの偏向位置を移動させるための第3の偏向量データと各第2の小領域内で前記荷電粒子ビームの偏向位置を移動させるための第4の偏向量データとを用いて、前記多段偏向器へと必要な偏向電圧を出力する複数の偏向アンプと、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F056AA04
, 5F056AA17
, 5F056CA02
, 5F056CB14
, 5F056EA06
