プラズマエッチング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：武顕次郎 , 武顕次郎 (外1名) , 武顕次郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223075
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037100
特許番号：特許第3527901号
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸化シリコン又は窒化シリコン或いはこれらの複合膜のマスクを用い、シリコン半導体基板にトレンチ加工をするプラズマエッチング方法において、シリコン半導体基板の温度を0°C以下に保持し、プラズマエッチングガスの主成分を4フッ化炭素にしてトレンチ加工した後、6フッ化硫黄にしてトレンチ加工することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (1件)：