特許
J-GLOBAL ID：201103018627860951
炭化ケイ素膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
220000323 工業技術院大阪工業技術研究所長
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108718
特許番号：特許第3015892号
出願日： 1999年04月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】メチルシランを励起して得られるシラエチレンイオン、メチルシリレンイオン及びシリルメチレンイオンから選ばれた少なくとも一種のイオンを含むイオンビームを基体に照射することを特徴とする炭化ケイ素膜の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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