特許
J-GLOBAL ID：201103018764904460

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
渡辺 武

渡辺 武 について

, 
橘 誠一郎

橘 誠一郎 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-280040
公開番号（公開出願番号）：特開2011-158891
出願日： 2010年12月16日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
カルボキシル基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  C08F 20/18 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  C08F20/18 ,  H01L21/30 502R
Fターム (58件)：
2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AH08 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ03Y ,  2H125AJ12Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ82Y ,  2H125AJ83Y ,  2H125AL02 ,  2H125AL23 ,  2H125AN31P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN62P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD38 ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AR09R ,  4J100AR10R ,  4J100AR32R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11R ,  4J100BA56S ,  4J100BB11S ,  4J100BC36P ,  4J100BC36Q ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC51R ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (3件)

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