特許
J-GLOBAL ID：200903068848886296

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
長谷川 幸士

長谷川 幸士 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-336124
公開番号（公開出願番号）：特開2007-140289
出願日： 2005年11月21日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【解決手段】下記一般式(a)及び(b)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。(式中、R1はH又はCH3、R2はヒドロキシ基、酸不安定基で置換されたヒドロキシ基であり、Rは炭素数1〜18のアルキレン基であり、RとRが結合するベンゼン環の2個の炭素原子とで炭素数3〜20の環を形成するが、該環は芳香族環を含んでいてもよく、R3は酸不安定基である。mは1又は2であり、a、bは、0<a<1.0、0<b≦0.8の範囲である。)【効果】本発明のポジ型レジスト材料によれば、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、また、現像後の残渣が低減されたものである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも下記一般式(a)及び(b)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/30
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/30
Fターム (38件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA50R ,  4J100BC03Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC12Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC48P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (3件)

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