特許

J-GLOBAL ID：201103018866357307

半導体装置並びに半導体集積装置及びその製造方法

発明者： 横内 貴志男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296467
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118982
特許番号：特許第4321926号
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】柱状の支持基板と、 前記支持基板に沿って巻き付けて接着され、表面に複数の電極が形成された半導体チップと、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H01L 25/04 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 23/12 Z ,  H01L 25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 立体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-066975   出願人：エスエムシー株式会社
• 特開平1-244625
  
• 特開平3-185900
  
• 半導体ウェハの成形加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-123081   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, シーメンスソーラーゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体素子および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-030815   出願人：株式会社東芝