特許
J-GLOBAL ID：201103019037655275
p型AlGaN層の製造方法およびIII族窒化物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 塚中 哲雄
, 川原 敬祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-275128
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142317
出願日： 2010年12月09日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：
【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたp型AlGaN層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】III族原料ガスをIII族原料ガス流量A1(0≦A1)で供給するとともに、V族原料ガスをV族原料ガス流量B1(0<B1)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C1(0<C1)で供給する第1工程と、III族原料ガスをIII族原料ガス流量A2(0<A2)で供給するとともに、V族原料ガスをV族原料ガス流量B2(0<B2)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C2(0<C2)で供給する第2工程とを複数回繰り返すことによりp型AlxGa1-xN層(0≦x<1)を形成し、前記III族原料ガス流量A1はp型AlxGa1-xN層を層成長させない流量であって、A1≦0.5A2であることを特徴とする。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
MOCVD法を用いて、マグネシウムをドープした一つのp型AlxGa1-xN層(0≦x<1)を形成するにあたり、
III族原料ガスをIII族原料ガス流量A1(0≦A1)で供給するとともに、
V族原料ガスをV族原料ガス流量B1(0<B1)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C1(0<C1)で供給する第1工程と、
III族原料ガスをIII族原料ガス流量A2(0<A2)で供給するとともに、
V族原料ガスをV族原料ガス流量B2(0<B2)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C2(0<C2)で供給する第2工程と
を複数回繰り返すことにより前記p型AlxGa1-xN層を形成し、
前記III族原料ガス流量A1は前記p型AlxGa1-xN層を層成長させない流量であって、A1≦0.5A2であることを特徴とするp型AlGaN層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/32
, C23C 16/34
H01L21/205
, H01L33/00 186
, C23C16/34
4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA01
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030JA05
, 4K030JA12
, 4K030LA14
, 5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AE25
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB04
, 5F045BB16
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045DA54
, 5F045DA60
, 5F045DP04
, 5F045DQ10
, 5F045EE15
, 5F045EE17
, 5F045EE19
, 5F045EF09
