特許
J-GLOBAL ID：200903087821142320
III族窒化物半導体結晶およびその製造方法、III族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-117967
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005331
出願日： 2005年04月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 半導体デバイス程度の大きさのIII族窒化物半導体結晶およびその製造方法、III族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。【解決手段】 下地基板1上に1以上のIII族窒化物半導体結晶基板11を成長させる工程と、III族窒化物半導体結晶基板11上に1層以上のIII族窒化物半導体結晶層12を成長させる工程と、III族窒化物半導体結晶基板11およびIII族窒化物半導体結晶層12から構成されるIII族窒化物半導体結晶10を下地基板1から分離する工程とを含み、III族窒化物半導体結晶10の厚さが10μm以上600μm以下、幅が0.2mm以上50mm以下であるIII族窒化物半導体結晶の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下地基板上に1個以上のIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程と、前記III族窒化物半導体結晶を前記下地基板から分離する工程とを含み、
前記III族窒化物半導体結晶の厚さが10μm以上600μm以下、幅が0.2mm以上50mm以下であるIII族窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (43件)：
5F041AA03
, 5F041AA33
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA22
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA54
, 5F041CA57
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA84
, 5F041CA85
, 5F041CA92
, 5F041DA02
, 5F041DA04
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA18
, 5F041DA22
, 5F041DA26
, 5F041DA44
, 5F041DB01
, 5F045AA05
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045CA10
, 5F045DA52
, 5F045DB02
, 5F045GH08
, 5F045HA14
, 5F045HA18
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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