低抵抗p型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-048698
特許番号：特許第4126332号
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸化亜鉛の単結晶中にp型ドーパントとn型ドーパントを含有し、p型ドーパントは、Li、Naのいずれか1種または2種、n型ドーパントは、B、Al、Ga、In、Zn、F、ClまたはHの群からなる1種または2種以上であり、ホール濃度が2×1018/cm3 以上、電気抵抗率が20Ω・cm以下であることを特徴とする低抵抗p型単結晶酸化亜鉛。

IPC (3件)：