特許
J-GLOBAL ID:201103019368067942

磁気抵抗効果ヘッドの再生トラック幅算出方法及びプログラム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 恵一
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-188097
公開番号(公開出願番号):特開2003-006822
特許番号:特許第3855688号
出願日: 2001年06月21日
公開日(公表日): 2003年01月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】コンピュータを用いた磁気抵抗効果ヘッドの再生トラック幅算出方法であって、少なくとも1つの層を含む磁気抵抗効果素子の該少なくとも1つの層の形状を表すデータ、該磁気抵抗効果素子の磁区制御層の形状を表すデータ及び該磁気抵抗効果素子に接続されたリード導体の形状を表すデータに少なくとも基づいて、該少なくとも1つの層、該磁区制御層及び該リード導体を複数の多面体要素に細分化する段階と、前記少なくとも1つの層、前記磁区制御層及び前記リード導体の抵抗率に少なくとも基づいて、前記各多面体要素の節点若しくは辺上の電位を算出し、該算出した各節点若しくは辺上の電位から該各多面体要素の電流密度を求め、該求めた電流密度を積分することによって前記リード導体の端子間の初期抵抗値を算出する段階と、前記磁気抵抗効果素子の局部ブロックにおける抵抗率を所定量変化させた状態で、前記各多面体要素の節点若しくは辺上の電位を算出し、該算出した各節点若しくは辺上の電位から該各多面体要素の電流密度を求め、該求めた電流密度を積分することによって前記リード導体の端子間の抵抗値を算出する段階と、抵抗率を所定量変化させる前記局部ブロックを前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向に順次移動させて、抵抗値を算出する前記段階を繰り返して行う段階と、得られた前記初期抵抗値及び前記抵抗値から電気的再生トラック幅を求める段階とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの再生トラック幅算出方法。
IPC (4件):
G11B 5/455 ( 200 6.01) ,  G01R 33/09 ( 200 6.01) ,  G11B 5/39 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01)
FI (4件):
G11B 5/455 C ,  G01R 33/06 R ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る