炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-113343
公開番号（公開出願番号）：特開2011-211212
出願日： 2011年05月20日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：

【課題】炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。【解決手段】ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度(650〜850°C)以下まで降温させる。これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するp型ベース層の界面のダングリングボンドをHもしくはOHの元素で終端させることが可能となる。このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルMOSFETとすることが可能となる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる基板(1、31、61)を用意する工程と、前記基板(1、31、61)上に、(000-1)C面をチャネル面とする炭化珪素からなるチャネル領域(2、34、64)を形成する工程と、前記チャネル領域(2、34、64)を電流経路として、該電流経路の上下流に配置される第1不純物領域(4、36、66、67)および第2不純物領域(5、37、73)を形成する工程と、前記チャネル領域(2、34、64)の表面にゲート絶縁膜(6、38、68)を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜(6、38、68)の上にゲート(7、35、65)を形成する工程とを行うことでMOS構造を構成し、前記ゲート(7、35、65)への印加電圧を制御することで前記チャネル領域(2、34、64)に形成されるチャネルを制御し、前記第1不純物領域(4、36、66、67)および前記第2不純物領域(5、37、73)の間に流れる電流を制御する炭化珪素半導体装置を製造する炭化珪素半導体装置の製造方法において、熱処理工程を含み、該熱処理工程における降温時に、650〜850°Cの温度域でウェット雰囲気もしくは水素雰囲気を維持し続けるようにし、少なくとも、ゲート表面を丸める丸め酸化工程、層間絶縁膜のリフロー工程、電極アニール工程のいずれか一つを含み、前記ゲート絶縁膜形成工程後に650°C以上の工程を行うに際し、650°C以上の温度域ではウェット雰囲気もしくは水素雰囲気を維持し続けることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 21/316

FI (6件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L21/316 P

Fターム (33件)：

5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BF29 , 5F058BF63 , 5F058BH02 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F140AA00 , 5F140AC02 , 5F140AC22 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF42 , 5F140BF58 , 5F140BG41 , 5F140BH43 , 5F140BJ28 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CC07 , 5F140CC13

引用特許：

審査官引用 (2件)

炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-189954 出願人：富士電機株式会社
絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-019528 出願人：松下電器産業株式会社

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