特許

J-GLOBAL ID：201103020337457163

電子放出素子

発明者： 吉川 高正 ,  中馬 隆 ,  根岸 伸安 ,  岩崎 新吾 ,  山田 高士 ,  酒村 一到 ,  秦 拓也 ,  吉澤 淳志 ,  佐藤 英夫 ,  小笠原 清秀
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305071
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126610
特許番号：特許第3789064号
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電子を供給する半導体層、前記半導体層上に形成された多孔質半導体層及び前記多孔質半導体層上に形成された金属薄膜電極からなり、前記半導体層及び前記金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子であって、前記金属薄膜電極の上部若しくは下部又は内部に炭素又は炭素化合物からなる炭素領域が設けられていること、並びに前記多孔質半導体層と前記金属薄膜電極若しくは前記炭素領域との界面が粗面であること、並びに前記粗面よりも平坦になった表面を有すること、を特徴とする電子放出素子。

IPC (2件)：

H01J 1/312 ( 200 6.01) ,  H01J 9/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01J 1/30 M ,  H01J 9/02 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-071864   出願人：パイオニア株式会社
• 薄膜表示素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009065   出願人：富士電機株式会社