特許

J-GLOBAL ID：201103020889603539

プラズマ処理装置

発明者： 川上 聡 ,  岩渕 勝彦 ,  桑嶋 亮 ,  牛越 隆介 ,  山田 直仁 ,  川尻 哲也
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107479
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299288
特許番号：特許第4236329号
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 所定の真空度に減圧された処理室内で被処理基板に対してプラズマを利用した所定の処理を行うプラズマ処理装置であって、 前記処理室内に配設された前記被処理基板を載置するための主面を有する載置台と、 前記載置台の側面または裏面に気密に接合される上端部を有し、前記載置台を支持するとともに、前記載置台の裏面側に前記処理室の処理空間から遮断され大気に連通可能な大気室を形成する筒状の支持部材と、 前記大気室内で前記載置台に熱的に結合された第1の熱伝動性ブロックを有し、前記載置台を介して前記基板の温度を制御するために前記第1の熱伝動性ブロックを冷却する第1の冷却部と、 前記支持部材の下端部と前記処理室の底板部との間に気密に配設された第2の熱伝動性ブロックを有し、前記載置台から独立して前記支持部材の温度を制御するために前記第2の熱伝動性ブロックを冷却する第2の冷却部と、 を有するプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/511 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  C23F 4/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 101 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-336165   出願人：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-156141   出願人：東京エレクトロン株式会社