成膜方法及び半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-206807
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071510
出願日： 2010年09月15日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台51と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材82とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からArガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台51の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が0.048W/cm2以下となるようにバイアス用の高周波電力を印加する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体装置における配線金属とフッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜との間に介在するバリア膜を成膜する方法において、処理容器内に、有機化合物を含む成膜用のガスと、成膜用のガスのプラズマ化を促進するためのプラズマ発生用のガスと、を供給する工程と、基板が載置される載置部と対向して前記処理容器の上部に設けられると共に周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材から前記処理容器内にマイクロ波を供給することにより、前記処理容器内のプラズマ発生用のガスと成膜用のガスとをプラズマ化し、そのプラズマにより基板上にシリコンと炭素とを含むバリア膜を成膜する工程と、この工程が行われている間に、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する工程と、を備え、基板に供給される単位面積当たりのバイアス用の高周波電力は、0.047W/cm2以下であることを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/314 , C23C 16/42 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L21/314 M , C23C16/42 , H01L21/90 K , H01L21/205

Fターム (64件)：

4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA37 , 4K030BA41 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030JA16 , 4K030KA02 , 4K030KA23 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR00 , 5F033RR01 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033WW07 , 5F033XX28 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AB06 , 5F045AC08 , 5F045BB17 , 5F045EH03 , 5F045EH13 , 5F045EH20 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD10 , 5F058BF08 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF39 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BJ05 , 5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-095801 出願人：日本電気株式会社
基板の処理方法及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-130914 出願人：東京エレクトロン株式会社

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