特許
J-GLOBAL ID：200903052526264172

基板の処理方法及び電子装置

発明者：
小林 保男

小林 保男 について

, 
川村 剛平

川村 剛平 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-130914
公開番号（公開出願番号）：特開2005-354041
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 フッ素添加カーボンからなる絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子と水分子とが反応することを防止する。【解決手段】 基板処理装置1の絶縁膜形成装置32において,基板W上にCF絶縁膜を形成し,当該基板Wを,水分を含まないような減圧雰囲気に維持された搬送路8を通って絶縁膜処理装置34に搬送する。絶縁膜処理装置34では,処理容器内を水分を含まない乾燥雰囲気に維持しながら,クリプトンガスからプラズマを生成し,当該プラズマを基板Wの表面に衝突させて,CF絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を離脱させる。こうすることによって,CF絶縁膜の表面にフッ素原子がなくなり,フッ素原子と水分子との反応が防止される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にフッ素添加カーボンからなる絶縁膜を形成する工程と, 少なくとも前記絶縁膜を形成した直後から前記基板に水分が接触しないように維持し,当該基板上の絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を当該絶縁膜から離脱させる工程と,を有することを特徴とする,基板の処理方法。
IPC (2件)：
H01L21/314 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/314 A ,  H01L21/90 K
Fターム (21件)：
5F033QQ00 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ95 ,  5F033RR01 ,  5F033RR05 ,  5F033RR11 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F058BC20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BD18 ,  5F058BF08 ,  5F058BF24 ,  5F058BH16 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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