特許

J-GLOBAL ID：201103021612932620

ダイヤモンド電界効果トランジスタ

発明者： 平間 一行 ,  谷保 芳孝 ,  嘉数 誠
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 ,  谷 義一 ,  濱中 淳宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-201821
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054728
出願日： 2009年09月01日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：

【課題】本発明の目的は、大電流動作が可能となり、さらに大電流動作を高温環境下でも安定に維持でき、また、ノーマリーオン特性とノーマリーオフ特性を作り分けることが可能となり、低消費電力で動作させることができるダイヤモンド電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】P型ダイヤモンド上に、少なくともAl、Ga、B、Inの1つを含むP型窒化物層を有し、P型ダイヤモンドとP型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のP型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

P型ダイヤモンド上に、少なくともAl、Ga、B、Inの1つを含むP型窒化物層を有し、 P型ダイヤモンドとP型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のP型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (11件)：

5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子電界効果デバイス及びそれらの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-546060   出願人：エレメントシックスリミテッド