特許

J-GLOBAL ID：201103021890052542

シリコンで構成される偏光フィルター及びその製造方法

発明者： 藤井 稔 ,  ヨーヒム ディーナー ,  ニコライ クンツナー ,  エーゴン グロス ,  ドミトリー コバレフ
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 小倉 啓七
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-413133
公開番号（公開出願番号）：特開2005-173206
特許番号：特許第4403538号
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 光に対して面内に異方性を持つ面方位(110)のポーラスシリコンが用いられ、前記ポーラスシリコンの特性(平均誘電率及び/又は誘電率の異方性及び/又は膜厚)が異なる3種類以上の層の組み合わせによる多層膜で形成されたことを特徴とする偏光フィルター。

IPC (2件)：

G02B 5/30 ( 200 6.01) ,  G02B 5/28 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G02B 5/30 ,  G02B 5/28

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 光変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-248756   出願人：新日本製鐵株式会社
• ポーラスシリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-178681   出願人：富士通株式会社
• 凹み構造形成半導体部材の製造方法及び凹み構造形成半導体部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-198174   出願人：旭テクノグラス株式会社, 日本板硝子株式会社

審査官引用 (3件)

• 光変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-248756   出願人：新日本製鐵株式会社
• ポーラスシリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-178681   出願人：富士通株式会社
• 凹み構造形成半導体部材の製造方法及び凹み構造形成半導体部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-198174   出願人：旭テクノグラス株式会社, 日本板硝子株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Giant birefringence in anisotropically nanostructureed silicon

審査官引用 (1件)

• Giant birefringence in anisotropically nanostructureed silicon