半導体薄膜再成長方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012928
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091248
特許番号：特許第3435083号
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空容器中でIII-V族化合物半導体を成長する薄膜成長方法において、InGaAsもしくはInGaAsPよりなる第1の半導体層上に、該第1の半導体層と格子整合するIII-V族化合物半導体よりなる第2の半導体層を再成長する方法であって、上記第2の半導体層を再成長する前に、上記第1の半導体層を、トリスジメチルアミノアルシンとリンを含む混合雰囲気中で加熱して、表面酸化膜を除去して清浄化すると共に、該第1の半導体層の最表面に格子歪を緩和する組成の半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体薄膜再成長方法。

IPC (3件)：