特許
J-GLOBAL ID：201103022299132304
III族窒化物結晶およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-204979
公開番号（公開出願番号）：特開2011-026181
出願日： 2009年09月04日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：
【課題】{0001}以外の面方位の主面を有する結晶性の高いIII族窒化物結晶を高い結晶成長速度で成長させるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、III族窒化物バルク結晶1から、{20-21}、{20-2-1}、{22-41}および{22-4-1}からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が5°以下の面方位を有する主面10pm,10qmを有する複数のIII族窒化物結晶基板10p,10qを切り出す工程と、基板10p,10qの主面10pm,10qmが互いに平行で、かつ、基板10p,10qの[0001]方向が同一になるように、横方向に基板10p,10qを互いに隣接させて配置する工程と、基板10p,10qの主面10pm,10qm上にIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
III族窒化物バルク結晶から、{20-21}、{20-2-1}、{22-41}および{22-4-1}からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が5°以下の面方位を有する主面を有する複数のIII族窒化物結晶基板を切り出す工程と、
前記基板の前記主面が互いに平行で、かつ、前記基板の[0001]方向が同一になるように、横方向に前記基板を互いに隣接させて配置する工程と、
前記基板の前記主面上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 25/20
, H01L 21/205
C30B29/38 D
, C30B25/20
, H01L21/205
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB09
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EB01
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EH09
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TA08
, 4G077TB03
, 4G077TC10
, 4G077TJ02
, 4G077TJ06
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK06
, 5F045AA02
, 5F045AA03
, 5F045AB14
, 5F045AC03
, 5F045AC15
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AF04
, 5F045AF13
, 5F045AF17
, 5F045BB09
, 5F045BB12
, 5F045DA53
, 5F045GH02
, 5F045GH09
, 5F045HA06
