特許

J-GLOBAL ID：200903081280275439

半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長の改良法

発明者： ジョン・エフ・ケディング ,  マイケル・イザ ,  トロイ・ジェー・ベーカー ,  佐藤 均 ,  ベンジャミン・エー・ハスケル ,  ジェームス・エス・スペック ,  スティーブン・ピー・デンバース ,  シュウジ・ナカムラ ,  李 東宣
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-551465
公開番号（公開出願番号）：特表2009-524250
出願日： 2007年01月19日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：

故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性(Al,In,Ga,B)N半導体薄膜の成長を改良する方法である。具体的には、該方法は、基板を故意にミスカットするステップと、基板を反応装置内に装填するステップと、窒素および/または水素および/またはアンモニアの流れのもとで該基板を加熱するステップと、該加熱された基板上にInxGa1-xNの核生成層を成膜するステップと、該InxGa1-xN核生成層上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップと、該基板を窒素過圧のもとで冷却するステップとを備える。

請求項（抜粋）：

半極性窒化物半導体薄膜の成長を促進するための方法であって、 故意にミスカットした基板上に半極性窒化物半導体薄膜を成膜するステップを備えることを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C30B 33/02 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/02

FI (6件)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C30B33/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02

Fターム (46件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077EA06 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FE05 ,  4G077FE06 ,  4G077FE10 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC03 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045CA09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-150761   出願人：日本電気株式会社
• 平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-500965   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-014946   出願人：三洋電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Novel symmetry in the growth of gallium nitride on magnesium aluminate substrates