特許
J-GLOBAL ID：201103022368455218
薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141465
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332253
特許番号：特許第3777873号
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ソース・ドレイン領域及びチャネル領域が形成されてなる半導体膜と、前記半導体膜に形成されてなるチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極と、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を覆うように形成されてなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して前記ソース・ドレイン領域にソース・ドレイン電極が電気的に接続する薄膜トランジスタにおいて、
前記ソース・ドレイン領域において、前記チャネルの幅方向に沿って所定の間隔をあけて複数の高濃度ソース・ドレイン領域が形成され、前記複数の高濃度ソース・ドレイン領域の間には、低濃度ソース・ドレイン領域が形成され、
前記ソース・ドレイン電極は、当該高濃度ソース・ドレイン領域の各々に対して前記コンタクトホールを介して電気的に接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 S
, G02F 1/136
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 A
, H01L 29/78 618 C
, G09F 9/30 338
