薄膜太陽電池の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山口巖 , 松崎清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305123
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110124
特許番号：特許第4112202号
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】導電性基板あるいは電気絶縁性を有する基板の表面に導電性薄膜を形成した基板を第1電極とし、この第1電極層の上に絶縁層、第2電極層、半導体層、第3電極層を順次積層し、前記第1電極層と第3電極層とを島状電極部を介して接続させてなる点接触型の薄膜太陽電池において、前記絶縁層から第3電極層までの全ての薄膜層を、所定パターンを有する薄膜形成用マスクを用いて形成する薄膜太陽電池の製造方法であって、前記薄膜形成用マスクは、前記基板表面と所定の間隔をもって対向する支持体の前記基板表面側に、前記所定パターンの薄膜層の非形成部と当接するマスクユニットを備え、前記マスクユニットを各薄膜層の非形成部に当接した後、前記絶縁層はCVDあるいはスパッタリングにより形成し、前記第2電極層はスパッタリングあるいは蒸着により形成し、前記半導体層はCVDにより形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 31/04 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

ステンシル・マスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-239680 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭61-284974
特開昭60-100673

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