特許
J-GLOBAL ID:201103022663008983
多点点火用半導体レーザー励起固体レーザーアレイ装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
清水 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-032011
公開番号(公開出願番号):特開2011-171406
出願日: 2010年02月17日
公開日(公表日): 2011年09月01日
要約:
【課題】点火に十分なエネルギーが得られ、レーザーの配置間隔を小さくすることができる多点点火用半導体レーザー励起固体レーザーアレイ装置を提供する。【解決手段】多点点火用半導体レーザー励起固体レーザーアレイ装置において、レーザー発振領域を有する固体レーザー媒質1と、この固体レーザー媒質1の底面に形成される全反射誘電体膜1Bの下部に低融点金属膜2を介して配置されるヒートシンク3と、前記固体レーザー媒質1の上面に形成される前記無反射誘電体膜1Aの上方に配置される複数個の板状の励起用半導体レーザー素子5とを備え、前記励起用半導体レーザー素子5からの励起光6を入射して前記固体レーザー媒質1を励起することで前記レーザー発振領域でレーザー発振を行わせ、前記固体レーザー媒質1のレーザー出力側側面に形成される前記部分反射誘電体膜1Dからレーザー出力光8を取り出す。【選択図】図1
請求項(抜粋):
(a)上面に励起光に対する無反射誘電体膜を、底面に励起光に対する全反射誘電体膜を、レーザー出力側側面にレーザー光に対する部分反射誘電体膜を、前記レーザー出力側側面と対向する側面にレーザー光に対する全反射誘電体膜をそれぞれ備えるレーザー発振領域を有する固体レーザー媒質と、
(b)該固体レーザー媒質の底面に形成される前記全反射誘電体膜の下部に低融点金属膜を介して配置されるヒートシンクと、
(c)前記固体レーザー媒質の上面に形成される前記無反射誘電体膜の上方に配置される複数個の板状の励起用半導体レーザー素子とを備え、
(d)前記励起用半導体レーザー素子からの励起光を入射して前記固体レーザー媒質を励起することで前記レーザー発振領域でレーザー発振を行わせ、前記固体レーザー媒質のレーザー出力側側面に形成される前記部分反射誘電体膜からレーザー出力光を取り出すことを特徴とする多点点火用半導体レーザー励起固体レーザーアレイ装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (8件):
5F172AE03
, 5F172AF02
, 5F172AL08
, 5F172EE15
, 5F172EE16
, 5F172EE17
, 5F172NQ53
, 5F172NS04
引用特許:
審査官引用 (5件)
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半導体レーザ励起固体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-064649
出願人:株式会社リコー
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光ポンピング装置
公報種別:公表公報
出願番号:特願2008-510619
出願人:コミツサリアタレネルジーアトミーク
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有機レーザ発振素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-261279
出願人:富士フイルムホールディングス株式会社
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