特許
J-GLOBAL ID：201103022846221171

半導体装置及びその製造方法

発明者：
成田 博明

成田 博明 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-072233
公開番号（公開出願番号）：特開2011-097003
出願日： 2010年03月26日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：
【課題】半導体装置の小型化・薄型化を図る。【解決手段】複数の電極パッド1cが形成された主面1aとその反対側の裏面1bとを備えた半導体チップ1と、半導体チップ1が搭載された上面2aとその反対側の下面2bとを備えた4本のリード端子2と、主面4aとその反対側の裏面4bとを備えた封止体4とを有したフリップチップ接続構造の半導体パッケージ6において、封止体4の裏面4bに露出する4本のリード端子2の第1下面2c間の距離を上面2a間の距離より長くすることで、実装基板への半田実装時の半田ブリッジの発生を抑制することができ、半導体パッケージ6の小型化・薄型化を図りつつ、半導体パッケージ6の信頼性の向上を図れる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
複数の端子が形成された主面を備えた半導体チップと、 前記半導体チップが搭載された上面と、前記上面とは反対側の下面と、を備え、前記半導体チップの前記複数の端子とそれぞれ電気的に接続された複数のリード端子と、 主面と前記主面とは反対側の裏面とを備え、前記半導体チップ及び前記複数のリード端子それぞれの一部を封止する封止体と、を有し、 前記複数のリード端子それぞれの前記下面は、前記封止体の前記裏面に露出する第1下面と、前記複数のリード端子それぞれの前記上面と前記第1下面との間に位置し、前記封止体内に配置された第2下面と、を有し、 平面視において、前記複数のリード端子それぞれの前記第1下面間の距離は、前記上面間の距離よりも長いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H01L23/50 R ,  H01L23/12 L ,  H01L23/12 501B ,  H01L23/50 A
Fターム (3件)：
5F067AA01 ,  5F067AB04 ,  5F067DA17
引用特許：
審査官引用 (4件)
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