特許
J-GLOBAL ID：201103023127221786
標的粒子を検出するためのマイクロエレクトロニクスセンサデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-538959
公開番号（公開出願番号）：特表2011-508199
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：
本発明は、キャリア(11)の結合面(12)の結合位置(3)と結合する標的粒子(1)を検査するマイクロエレクトロニクスセンサデバイスに関する。好適実施例では、入射光ビームが前記キャリア(11)へ入り込む。該キャリア(11)の前記結合位置では、減衰全内部反射(FTIR)が起こる。その結果生じた出力光ビーム(L2)の光の量は、光検出器(31)によって検出され、かつ前記結合面での前記標的粒子の存在に関する情報を供する。しかも作動ユニット(50)は、磁場(B)又は電場-特に所与の変調周波数(COIn)を有する-との相互作用によって、前記の結合標的粒子(1)の運動を誘起する。該運動の誘起により、前記標的粒子の効果はバックグランドから区別することができる。
請求項（抜粋）：
キャリアの結合面の結合位置と結合する標的粒子を検査するマイクロエレクトロニクスセンサデバイスであって:
センサ信号を供するセンサユニットであって、前記センサ信号は当該センサユニットの感度領域内に標的粒子が存在することを示す、センサユニット;
前記センサユニットの感度領域についての、前記結合面での結合した標的粒子の運動を選択的に誘起する作動ユニット;及び、
前記作動ユニットによって誘起された前記の結合した標的粒子の運動を考慮するセンサ信号を評価する評価モジュール;
を有するマイクロエレクトロニクスセンサデバイス。
IPC (3件)：
G01N 21/27
, G01N 33/483
, G01N 21/64
G01N21/27 C
, G01N33/483 C
, G01N21/64 F
, G01N21/64 G
2G043AA01
, 2G043BA16
, 2G043BA17
, 2G043DA01
, 2G043EA01
, 2G043HA08
, 2G043KA02
, 2G043KA05
, 2G043KA09
, 2G043LA01
, 2G045AA40
, 2G045FA11
, 2G059AA01
, 2G059BB12
, 2G059CC16
, 2G059CC17
, 2G059EE02
, 2G059EE12
, 2G059EE17
, 2G059GG01
, 2G059GG02
, 2G059HH02
, 2G059HH06
, 2G059JJ12
, 2G059KK01
