特許
J-GLOBAL ID：201103023463883207

結晶シリコン系太陽電池

発明者：
口山 崇

口山 崇 について

, 
山本 憲治

山本 憲治 について


出願人/特許権者：
株式会社カネカ

株式会社カネカ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-147841
公開番号（公開出願番号）：特開2011-003848
出願日： 2009年06月22日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：
【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池において、各半導体接合界面や集電極付着界面で各層の剥離が起こりやすく、生産性および耐久性に悪影響を与えるという課題があった。【解決手段】 厚みが200μm以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記p型およびn型シリコン系薄膜層上に導電性酸化物層を備え、さらに前記導電性酸化物層上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板から保護層までの間の少なくとも1層に1〜20nmの膜厚のアモルファスカーボン層が設けられていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
厚みが200μm以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記単結晶シリコン基板の一面にp型シリコン系薄膜層を有し、前記単結晶シリコン基板と前記p型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記単結晶シリコン基板の他面にn型シリコン系薄膜層を有し、前記単結晶シリコン基板と前記n型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記p型およびn型シリコン系薄膜層上に導電性酸化物層を備え、さらに前記導電性酸化物層上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、 前記単結晶シリコン基板から保護層までの間の少なくとも1層に1〜20nmの膜厚のアモルファスカーボン層が設けられていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 L ,  H01L31/04 N
Fターム (40件)：
5F051AA02 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA07 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA19 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F151AA02 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA15 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA04 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA07 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA19 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-331627   出願人：シャープ株式会社
  • 太陽電池モジュールの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-166083   出願人：三洋電機株式会社
  • 光起電力装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-047656   出願人：三洋電機株式会社
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審査官引用 (5件)
  • 太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-331627   出願人：シャープ株式会社
  • 太陽電池モジュールの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-166083   出願人：三洋電機株式会社
  • 光起電力装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-047656   出願人：三洋電機株式会社
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