特許

J-GLOBAL ID：200903055249415710

光起電力装置

発明者： 寺川 朗
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047656
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227692
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】結晶系半導体への不所望な量の水素拡散に起因する出力の低下を抑制することが可能な光起電力装置を提供する。【解決手段】この光起電力装置は、n型単結晶シリコン基板1と、n型単結晶シリコン基板1の受光面上に形成され、水素を含有するとともに、実質的に真性のi型非晶質シリコン層2bと、i型非晶質シリコン層2b上に形成されたn型非晶質シリコン層2cと、n型単結晶シリコン基板1とi型非晶質シリコン層2bとの間に配置され、i型非晶質シリコン層2bからn型単結晶シリコン基板1に水素が拡散するのを抑制する機能を有するi型非晶質シリコン層2aとを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶系半導体と、 前記結晶系半導体の表面上に形成され、水素を含有するとともに、実質的に真性の第1非晶質半導体層と、 前記第1非晶質半導体層の表面上に形成された第2非晶質半導体層と、 前記結晶系半導体と前記第1非晶質半導体層との間に配置され、前記第1非晶質半導体層から前記結晶系半導体に前記水素が拡散するのを抑制する機能を有する水素拡散抑制層とを備える、光起電力装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 B

Fターム (19件)：

5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA09 ,  5F051CA15 ,  5F051CA16 ,  5F051CA32 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051GA04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 太陽電池モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-042638   出願人：三洋電機株式会社
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-083805   出願人：三洋電機株式会社
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-268199   出願人：三洋電機株式会社
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-005071   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-083805   出願人：三洋電機株式会社
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-268199   出願人：三洋電機株式会社
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-005071   出願人：三洋電機株式会社