特許
J-GLOBAL ID:201103024335668880
耐久性に優れた一体型圧電/電歪膜型素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
杉村 憲司
, 来間 清志
, 杉村 興作
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-119303
公開番号(公開出願番号):特開2002-009359
特許番号:特許第3999473号
出願日: 2001年04月18日
公開日(公表日): 2002年01月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】 完全安定化または部分安定化された酸化ジルコニウムを主成分とするセラミック基板上に、膜形成法によって、下部電極、鉛元素を含む組成になる圧電/電歪層および上部電極からなる圧電/電歪作動部を一体化してなる圧電/電歪膜型素子であって、
圧電/電歪層表面における鉛元素欠乏相の発生比率を 0.1〜30%の範囲に規制したことを特徴とする、耐久性に優れた一体型圧電/電歪膜型素子。
IPC (4件):
H01L 41/09 ( 200 6.01)
, H01L 41/187 ( 200 6.01)
, G01L 1/16 ( 200 6.01)
, H01L 41/22 ( 200 6.01)
FI (9件):
H01L 41/08 C
, H01L 41/18 101 B
, H01L 41/18 101 C
, G01L 1/16 A
, G01L 1/16 B
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/22 Z
, H01L 41/08 J
, H01L 41/08 M
引用特許: