特許
J-GLOBAL ID:201103024936300561

半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 清路
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-009901
公開番号(公開出願番号):特開2000-208452
特許番号:特許第4012643号
出願日: 1999年01月18日
公開日(公表日): 2000年07月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 重合体粒子を含有し、該重合体粒子は5〜80重量%の架橋性単量体と、20〜95重量%のその他の単量体とを共重合させてなることを特徴とする半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。
IPC (3件):
H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  C09K 3/14 ( 200 6.01) ,  C08L 101/00 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/304 622 B ,  C09K 3/14 550 C ,  C08L 101/00
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 研磨材及び研磨方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-033765   出願人:三井化学株式会社
  • タングステンの研磨用組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-320644   出願人:株式会社フジミインコーポレーテッド
  • 研磨液組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-096821   出願人:旭化成工業株式会社

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