特許
J-GLOBAL ID:201103025005081200

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 池内 寛幸 ,  佐藤 公博
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-356446
公開番号(公開出願番号):特開2001-177035
特許番号:特許第3602997号
出願日: 1999年12月15日
公開日(公表日): 2001年06月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】金属平板を用いてダイパッドとサポートリードとを一体に形成する工程と、前記ダイパッドの外周部に窪み部を形成する工程と、前記ダイパッドの、前記窪み部の形成面とは反対側の面に半導体素子を載置する工程と、前記ダイパッド、前記サポートリード、及び前記半導体素子を金型内に収納し、前記ダイパッドの前記窪み部を形成した側の面を前記金型の内壁面に当接させながら、樹脂を前記窪み部と前記金型の内壁面とによって形成された空間に入り込ませた後、前記樹脂を前記金型内に充填させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/56
FI (2件):
H01L 23/50 U ,  H01L 21/56 T
引用特許:
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (5件)
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