磁気抵抗デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-223722
公開番号（公開出願番号）：特開2011-097046
出願日： 2010年10月01日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：

【課題】大きな出力信号強度を得られるEMRデバイスに、既存のスライダ形成技術を利用して磁気ヘッドスライダが形成できるような、デバイス構造とデバイス製造方法を提供すること【解決手段】磁気抵抗デバイスは、基板(4;64)と、第一方向(14)に伸びた細長半導体チャネル(11)素子と、チャネルへの接点の組(27)を提供する少なくとも2つの導電性リード(26)とを含んでいる。デバイスは、チャネルと接続したオプションの半導体シャント(8)を含んでいる。オプションのシャント、チャネル及び接点の組は、第一方向及び基板の表面に対して垂直な第二方向(15)に向かって、基板に対して積重ねられる。デバイスは、チャネルに沿って伸びる側面(30)を有している。デバイスは、側面に対して一般的に垂直な方向の磁場(31)に対して反応する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面(3)を有する基板(4;64)と、第一方向に伸びた細長半導体チャネル(11)と、チャネルへの接点の組(27)を提供する少なくとも2つの導電性リード(26)を含む磁気抵抗デバイスであって、該チャネルと接点の組とは、第一方向と基板表面とに垂直な第二方向(15)で基板に対して積重ねられ、デバイスは、チャネルに沿って側面(30)を有し、側面に対し略垂直な方向の磁場(31)に対して反応することを特徴とする磁気抵抗デバイス。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , H01L 43/12 , G11B 5/39

FI (4件)：

H01L43/08 S , H01L43/08 Z , H01L43/12 , G11B5/39

Fターム (16件)：

5D034BA03 , 5F092AA02 , 5F092AA05 , 5F092AB03 , 5F092AC04 , 5F092AD08 , 5F092BB04 , 5F092BB46 , 5F092BB55 , 5F092BB82 , 5F092BC42 , 5F092BC43 , 5F092BE02 , 5F092CA03 , 5F092CA25 , 5F092GA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-067868 出願人：株式会社日立製作所
交換結合された反強磁性/強磁性構造による垂直磁気バイアスを有する異常磁気抵抗センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-184574 出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
不均一ナローギャップ半導体の室温における極超巨大磁気抵抗
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-364845 出願人：日本電気株式会社

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