特許
J-GLOBAL ID:201103025965338205
切断起点領域の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 石田 悟
, 城戸 博兒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-162402
公開番号(公開出願番号):特開2011-216913
出願日: 2011年07月25日
公開日(公表日): 2011年10月27日
要約:
【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域の形成方法を提供する。【解決手段】 基板3の内部に集光点を合わせて、集光点でのピークパワー密度が1×108W/cm2以上となるようにしてレーザ光を照射し、基板3の内部に切断予定ラインに沿った改質領域13を形成し、この改質領域13を切断起点領域として、基板3を分割するための当該切断起点領域の形成方法であって、切断予定ラインは格子状に設定されており、切断起点領域を、基板3の厚さ方向における中心位置から基板のレーザ光照射面側に偏倚して形成し、切断起点領域を起点として格子状の切断予定ラインに沿って発生する割れを基板3のレーザ光照射面には到達するが、基板3の反対側面には到達しないようにしたことを特徴とする。【選択図】 図23
請求項(抜粋):
基板の内部に集光点を合わせて、集光点でのピークパワー密度が1×108W/cm2以上となるようにしてレーザ光を照射し、前記基板の内部に切断予定ラインに沿った改質領域を形成し、この改質領域を切断起点領域として、基板を分割するための当該切断起点領域の形成方法であって、
前記切断予定ラインは格子状に設定されており、
前記切断起点領域を、前記基板の厚さ方向における中心位置から前記基板のレーザ光照射面側に偏倚して形成し、前記切断起点領域を起点として前記格子状の切断予定ラインに沿って発生する割れを前記基板のレーザ光照射面には到達するが、前記基板の反対側面には到達しないようにしたことを特徴とする基板の分割のための切断起点領域の形成方法。
IPC (5件):
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, B28D 5/00
FI (5件):
H01L21/78 B
, B23K26/00 N
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, B28D5/00 Z
Fターム (14件):
3C069AA03
, 3C069BA08
, 3C069BB03
, 3C069CA03
, 3C069CA05
, 3C069CA06
, 3C069EA05
, 4E068AE00
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CC02
, 4E068CD08
, 4E068DA10
, 4E068DB11
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開昭64-038209
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脆性基板の分割方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-143361
出願人:株式会社ディスコ
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特開昭64-038209
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特開平4-111800
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特開平4-111800
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特開平4-111800
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窒化物半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-345937
出願人:日亜化学工業株式会社
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圧接型半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-317330
出願人:株式会社デンソー
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