特許
J-GLOBAL ID：201103026052474186
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-034595
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171551
出願日： 2010年02月19日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：
【課題】炭化ケイ素半導体装置を、表面構造形成工程を前に、裏面構造形成工程を後に実施する製造方法によって製造し、かつ、炭化ケイ素半導体装置の特性を確保する。【解決手段】表面電極と、裏面電極とを備えた炭化ケイ素半導体装置の製造方法は、表面電極の材料となる表面電極材料層を半導体基板に接して成膜する表面電極材料層の成膜工程と、表面電極材料層をアニール処理する第1アニール工程と、を含む表面構造形成工程と、裏面電極層の材料となる裏面電極材料層を半導体基板に接して成膜する裏面電極材料層の成膜工程と、裏面電極材料層にレーザ照射を行って、裏面電極材料層と半導体基板とをオーミック接合させる第2アニール工程と、を含み、表面構造形成工程の後に行われる裏面構造形成工程とを有している。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素を材料とする半導体基板と、
半導体基板の表面に接する表面電極と、
半導体基板の裏面に接する裏面電極とを備えた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の表面側に表面構造を形成する表面構造形成工程と、
半導体基板の裏面側に裏面構造を形成する裏面構造形成工程と、を有しており、
表面構造形成工程は、表面電極の材料となる表面電極材料層を半導体基板に接して成膜する表面電極材料層の成膜工程と、
表面電極材料層をアニール処理する第1アニール工程と、を含み、
裏面構造形成工程は、裏面電極の材料となる裏面電極材料層を半導体基板に接して成膜する裏面電極材料層の成膜工程と、
裏面電極材料層にレーザ照射を行って、裏面電極材料層と半導体基板とをオーミック接合させる第2アニール工程と、
を含み、表面構造形成工程の後に行われる、半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/28
, H01L 21/304
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 21/268
H01L21/28 B
, H01L21/304 621B
, H01L21/28 301B
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652L
, H01L29/48 P
, H01L21/268 G
4M104AA03
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC01
, 4M104DD78
, 4M104DD79
, 4M104DD80
, 4M104EE18
, 4M104FF02
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG02
, 4M104GG09
, 4M104GG18
