特許

J-GLOBAL ID：201103027104477070

半導体装置及びその製造製法

発明者： 水島 宏明
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367494
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185707
特許番号：特許第3722657号
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ビット線拡散層と、前記ビット線拡散層をドレインまたはソースとする複数のセルとを備えた半導体装置において、 前記セルのうちゲート電極と交差しない部分の前記ビット線拡散層の全ての幅を、ゲート電極と交差する部分の前記ビット線拡散層の幅よりも広くした、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-250495
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294736   出願人：三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社, 三菱電機株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-078588   出願人：日本鋼管株式会社