特許

J-GLOBAL ID：201103027409128288

半導体記憶装置

発明者： 佐藤 孝行
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033867
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235798
特許番号：特許第3562988号
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】差動式センスアンプと、上記差動式センスアンプの電流制御トランジスタを制御するテールバイアス制御回路を有するセンスブロックと、データを格納するメインメモリセルを有するメインブロックと、読み出そうとするメインメモリセルのデータが0であるか1であるかを判定するための比較用リファレンスセルを有するリファレンスブロックとを備え、上記リファレンスブロックから上記センスブロックの差動式センスアンプのMOSトランジスタにリファレンスレベルを入力するリファレンスレベル入力線と、上記テールバイアス制御回路から上記差動式センスアンプの電流制御トランジスタにテールバイアス信号を入力するテールバイアス信号入力線との間に、上記MOSトランジスタの寄生容量によって生ずるリファレンスレベル入力線の電圧降下ノイズをキャンセルする電気容量部を有するリファレンスレベル突き上げ回路を接続したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (1件)：

G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 17/00 634 E ,  G11C 17/00 632 Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-316940   出願人：シャープ株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-290076   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-298896