半導体処理装置のクリーニング方法および半導体処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374991
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189273
特許番号：特許第3456933号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体を処理する反応室内に付着した不要堆積物や不純物をクリーニングガスを導入して反応させガス化して反応室外に排除する半導体処理装置のクリーニング方法において、塩素を含む第1のガスおよびフッ素を含む第2のガスを供給し、これら第1のガスおよび第2のガスを反応させてクリーニングガスを生成し、この生成されたクリーニングガスを前記反応室に導入することを特徴とする半導体処理装置のクリーニング方法。

IPC (1件)：