特許
J-GLOBAL ID：201103027948574488
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
真田 有
, 山本 雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-295490
公開番号（公開出願番号）：特開2011-135008
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】光出力の飽和を抑制し、十分な特性が得られるようにしながら、安定した単一横モード動作を実現できるようにする。【解決手段】光半導体装置を、活性領域1と、活性領域1の一端側に設けられ、第1回折格子6を装荷した第1導波路10を有する第1分布反射鏡領域2とを備えるものとし、第1回折格子6を、結合係数が第1導波路10の幅方向で同一であり、幅方向両側部分が第1導波路10の幅方向に平行な幅方向中央部分に対して活性領域1の反対側へ傾いているものとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性領域と、
前記活性領域の一端側に設けられ、第1回折格子を装荷した第1導波路を有する第1分布反射鏡領域とを備え、
前記第1回折格子は、結合係数が前記第1導波路の幅方向で同一であり、幅方向両側部分が前記第1導波路の幅方向に平行な幅方向中央部分に対して前記活性領域の反対側へ傾いていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AA26
, 5F173AB15
, 5F173AB30
, 5F173AF04
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AR04
, 5F173AR14
