PN分離層をもつIGBT

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所 , 原謙三 , 木島隆一 , 圓谷徹 , 金子一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-600311
特許番号：特許第3827954号
出願日： 2000年02月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一方の伝導形式の低ドープ半導体基板(1)に設けられている、一方の伝導形式の低ドープドリフトゾーン(2)を有するPN分離層をもつIGBTにおいて、ドリフトゾーン(2)と半導体基板(1)との間に、一方の伝導形式の第1の高ドープキャビティゾーン(8)と一方の伝導形式に対立する他方の伝導形式の第2の高ドープキャビティゾーン(9)とが順次設けられ、両キャビティゾーン(8、9)の表面はUリンク(10)で互いに連結されていることを特徴とするIGBT。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/761 ( 200 6.01) , H01L 29/739 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 21/8238 ( 200 6.01) , H01L 27/092 ( 200 6.01) , H01L 27/08 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/78 301 J , H01L 21/76 J , H01L 29/78 655 Z , H01L 29/78 656 B , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 301 R , H01L 27/08 331 C

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭49-005199
特開昭59-194465
特開平3-245562

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審査官引用 (8件)

特開昭49-005199
特開昭59-194465
特開平3-245562

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